据韩国《朝鲜日报》报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽内存HBM3的试产，但初期良率迟迟无法突破，停留在25% 的水平。暗讽4个里3个是废品。
该媒体同时高调吹捧SK海力士同款产品，并称SK海力士自2022年起量产同类HBM3产品，良率已超过90%。半导体行业公认的量产黄金良率为80%，长鑫存储目前仅达到其三分之一。
韩媒将问题根源指向TSV硅通孔技术。报道指出，长鑫存储用于HBM的G4工艺制造的普通DRAM本身没有大问题，真正的瓶颈在于TSV。
TSV是在DRAM芯片堆叠时，在每一层钻出数千个微米级小孔并填入铜，实现垂直电气连接。孔一旦偏移或填充不完整，整层芯片即告报废。
报道援引业界数据称，长鑫存储每颗芯片的TSV数量约3000个，而三星HBM2超过5000个，SK海力士HBM3超过8000个。韩媒借此强调韩企在TSV工艺上的领先。
韩媒还引述业内人士称，TSV的工艺诀窍不是一朝一夕能积累的，三星和SK海力士在这方面已有4至5年的领先优势。
不过报道也承认，长鑫存储正将少量HBM样品供应给寒武纪等中国企业，在持续改善良率的同时推进商业化进程。